挨肩並足

隨著AI與IoT崛起，MRAM記憶體成為未來之星 1.原文連結： https://bit.ly/2xMNmyZ 2.原文內容： 隨著容量和性能的提高，近年來MRAM取得長足發展，甚至成為人工智慧與機器學習領域記 憶體的最佳替代SRAM的方案。MRAM長期目標是建立通用的非揮發性記憶體的主流地位，這 也吸引了GlobalFoundries、台積電、三星、英特爾的注意。 產業中的許多大廠多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統記憶體，但 同時又有非揮發性的優點，MRAM似乎就成為綜合了傳統記憶體與快閃記憶體的選擇。 從市場角度來看，儘管NAND型快閃記憶體和DRAM仍將在未來幾年保持主導地位，但是MRAM 於未來幾年將會呈現顯著成長。根據市場研究機構Yole Développement報告，到2024年 STT-MRAM市場可望達到18億美元規模，其中嵌入式方案佔據12億美元規模，獨立型MRAM則 涵蓋約6億美元。整體來說，2018到2024年間的年複合成長率為85%，總產量超過30萬片晶 圓。 在嵌入式STT-MRAM（eMRAM）應用上，主要是出現在物聯網、微控制器、汽車、邊緣運算 和人工智慧等領域。至於幾種獨立的MRAM產品，則是鎖定在包括：航太、汽車、儲存、工 廠自動化、物聯網、智慧能源、醫療和工業機器控制/運算等應用。 STT-MRAM在嵌入式記憶體應用之中，以取代快閃記憶體、EEPROM和SRAM為主，目前投入嵌 入式STT-MRAM的IDM /晶圓代工廠，包含：台積電、三星、GlobalFoundries、英特爾等。 至於提供獨立的MARM廠商，有美國的Everspin。 現今，隨著晶圓代工廠商GlobalFoundries與Everspin合作將MRAM引入12奈米製程，未來 MRAM的容量密度將逐步提升，成本也將進一步下降。 其實，GlobalFoundries與Everspin的合作是從2012年開始，剛開始Everspin的第一代 STT-MRAM是採用GlobalFoundies的40奈米製程製造，單顆容量為32MB，於2019年升級至第 二代，製程也提升至28奈米，單顆容量提升至128MB。2020年GlobalFoundies的22FDX製程 成功試產了eMRAM，更強化了MRAM的競爭力。 現今MRAM正在支持AI、物聯網和高階網路技術的下一代嵌入式設備。例如：如果採用MRAM 替換SRAM，可以讓AI推理引擎具有更多記憶體，以儲存經過訓練的模型，讓AI系統或機器 學習更具威力。 未來，MRAM只會更積極往高密度、高能效、高耐用且高產量的目標前進，也將引領半導體 產業內針對各種應用程式記憶體革命帶來衝擊。 3.心得/評論： 隨著AI以及IoT的發展，MRAM記憶體越來越受重視，大廠像是三星、英特爾接有投入研製 ，分析師預測其營收到2024年有機會上看18億美元。







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